为什么场效应管的概念早于三极管，但其发明却较晚？
2023-04-23 阅读 49
场效应管（FET）的概念是在20世纪30年代初由奥地利物理学家朱利叶斯·埃德加·利利恩费尔德提出的。而三极管的概念则是在20世纪20年代初由美国物理学家李·德维特·布里奇曼提出的。因此，场效应管的概念早于三极管。
然而，场效应管的实际发明却比三极管晚了很多年。这是因为当时的技术水平和材料科学还无法支持场效应管的制造和应用。直到20世纪60年代，随着半导体技术的发展和新材料的出现，场效应管才得以实际制造和应用。
因此，尽管场效应管的概念比三极管早，但其实际发明却比三极管晚，这与当时的技术水平和材料科学有关。
更新于 2023年04月30日
