英飞凌推出新一代 1200 V CoolSiC MOSFET，该产品有哪些设计亮点？
2023-06-15 阅读 31
英飞凌的新一代 1200 V CoolSiC MOSFET 有以下设计亮点：
1. 采用了新的MOSFET极间封装技术，可提高散热效率。
2. 采用了新型的表面结构设计，可有效减小漏电流。
3. 具有更低的开启电阻和损耗，可提高功率密度和效率。
4. 采用了新型的晶体管结构，可提高开关速度和可靠性。
5. 具有更高的温度稳定性和抗辐射能力，适用于恶劣环境下的应用。
更新于 2023年06月18日
