功率sic mosfet测试BV后三通，击穿点位于终端主结边缘，可能是什么原因？
2024-11-19 阅读 75
更新于 2024年11月22日
你说的是测试还是试验？
如果是测试：
器件额定电压BVdss下测试的漏电流IDSS是nA级，你用200μA的漏电流测试器件的反压说明器件大概率到了雪崩击穿状态。一般静态参数测试设备都是脉冲测试，即使测试时发生了雪崩击穿也是能恢复正常的；但是如果你用的是直流电或脉冲宽度较宽的脉冲，器件散热不好就会由雪崩击穿转变为热击穿，导致器件失效。
如果是试验：
你先做的高温反偏(HTRB)没问题，后面做的加电流200μA偏置是不是做的功率老炼？做功率老炼时是需要根据热阻控结温的，否则会很容易导致热击穿；除了控结温外还要注意mosfet存在零温度系数点（有的资料也称为二次击穿）。
